CMOS Image Sensor(CIS : Contact Image Sensor라고도 함)는 1967년 FairChild, RCA등이 활발히 개발을 하기 시작하였다.
그 후, 1979년 Hitachi가 개발에 주력을 하다 Fixed Pattern Noise (FPN)를 비롯한 noise로 인하여 image quality가 CCD에 비해서 열등하고 또한 CCD대비 회로가 복잡하고 Packing density가 낮으며 Cost측면에서 CCD에 비해서 차이점이 없고 Chip Size가 큰 이유로 인하여 1989년에 MOS형 image sensor의 개발을 포기하고 CCD 개발로 전환을 하였다.
그 이후 1990년 NHK/Olympus에서 amplified MOS Imager (AMI)를 발표하였고, 1993년 edinburgh 대학에서 최초의 CMOS type Camera chip을 발표한 이후로 같은해 JPL에서 CMOS type Active Pixel Sensor(APS)를 발표하고 1995년 미국 대학 및 연구기관에서 본격적인 CMOS Image Sensor에 대한 개발이 시작되었다.
그 후, 1979년 Hitachi가 개발에 주력을 하다 Fixed Pattern Noise (FPN)를 비롯한 noise로 인하여 image quality가 CCD에 비해서 열등하고 또한 CCD대비 회로가 복잡하고 Packing density가 낮으며 Cost측면에서 CCD에 비해서 차이점이 없고 Chip Size가 큰 이유로 인하여 1989년에 MOS형 image sensor의 개발을 포기하고 CCD 개발로 전환을 하였다.
그 이후 1990년 NHK/Olympus에서 amplified MOS Imager (AMI)를 발표하였고, 1993년 edinburgh 대학에서 최초의 CMOS type Camera chip을 발표한 이후로 같은해 JPL에서 CMOS type Active Pixel Sensor(APS)를 발표하고 1995년 미국 대학 및 연구기관에서 본격적인 CMOS Image Sensor에 대한 개발이 시작되었다.